说到国产自主研发芯片，发展最快的芯片大概就是内存芯片了，尤其是紫光集团的公司，在内存DRAM和闪存NAND芯片方面已经有上市产品。当然最突出的还是长江存储的NAND闪存芯片。目前市场上很多存储公司都采用了长江存储的闪存芯片来构建固态硬盘，性能部分不输于海外品牌的闪存。
说到长江存储，这家公司早在2018年就宣布推出自己的Xtacking架构3D闪存，但当时还是32层堆叠，技术在国际上并不领先。然而今天，长江存储已经能够铺开128层堆叠式闪存颗粒，效率和技术的快速提升着实令人惊讶。更何况长江存储的128层堆叠闪存颗粒目前已经上市销售，将好的技术商业化，显然对国内公司更有意义。
国内存储公司Asgat推出了一款名为AN4的NVME SSD，采用PCI-E 4.0×4接口，长江存储128层堆栈式闪存颗粒。最高读取速度可以达到7500 MB/s，同时写入速度也可以达到5500 MB/s，虽然这款产品的产能和良率都不算太好，但是仅从性能上来看，国产闪存颗粒不输于国外闪存颗粒，这也证明了长江存储的技术实力。
目前长江存储的128层堆叠闪存颗粒有两种型号，分别是X2-6070和X2-9060。前者虽然使用了QLC颗粒，但却拥有已知最大的单位面积存储密度、最高的I/O传输速度和最高的单个NAND存储芯片容量。后者是目前主流的3D TLC颗粒，也就是目前民用市场固态硬盘产品中使用的颗粒，比如Asgat的AN4使用的X2-9060闪存颗粒。
从技术上看，长江存储128层堆叠产品采用的Xtacking架构已经升级到2.0，可以进一步释放3D闪存的性能。基于电荷陷阱存储技术，在1.2V Vccq电压下可实现1.6Gbps的数据传输速率。前几天有海外媒体买了Asgat的AN4固态硬盘进行拆解，用它来分析长江中存储的128层堆叠的TLC颗粒。
AN4 1TB SSD采用长江存储128层堆叠的512Gb TLC芯片，尺寸60.42mm2，位密度8.48 Gb/ mm2，比采用第一代Xtacking 1.0工艺的芯片提升92%。长江Xtacking混合键合技术使用两个晶圆来集成3D NAND器件，因此可以找到两个核心，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。其单元结构由层界面的缓冲层连接的两层组成，与凯夏的112层堆叠的BiCS 3D NAND闪存的结构工艺相同。
虽然三星、梦龙、海力士也有128层堆叠的闪存颗粒，但是从密度上来说，长江存储的裸芯片体积更小，密度更高，所以他们显然有更好的技术。因此，海外媒体也认为，长江存储的128层堆叠技术在容量、位密度、I/O速度等方面可以与其他一线闪存公司相抗衡，在技术上已经赶上了三星、梦龙等其他行业领袖。
当然，我们之前也说过，虽然技术已经赶上，但是国内存储公司的生产规模还是远远落后于海外一流厂商，这在商业上会是一个劣势。Asgat生产了一批AN4后，没有后续出货跟上。现在，这款产品已经全网下架。很大的原因是产品供应跟不上，这和长江存储限量出货不无关系。
当然，生产规模可以慢慢提高，长江存储在技术上的突破还是值得国人欣喜的。毕竟在存储领域，国产芯片在技术和性能上并不逊色于三星、梦龙等顶级厂商，这在以前是比较少见的。未来，我们也希望有更多像长江存储这样的厂商，为消费者提供优秀的产品。只有这样，我们自己的半导体产业才能快速发展。