今天，我将告诉你mos晶体管，它在电路中有着广泛的应用。mos晶体管的形状和三极管、晶闸管、三端双向可控硅、IGBT差不多，所以有时候你分不清什么是三极管、晶闸管、三端双向可控硅、mos晶体管、IGBT。接下来，我给大家详细讲一下mos晶体管。
什么是mos管，它有什么作用？
Mos晶体管也叫场效应晶体管。首先，一个更简单的器件——MOS电容——可以更好地理解MOS晶体管。这种器件有两个电极，一个是金属，另一个是非本征硅，由二氧化硅薄层隔开。金属极是栅极，半导体端是背栅极或体。它们之间的绝缘氧化层称为栅极电介质。图中所示的器件具有由轻掺杂p型硅制成的背栅。这个MOS电容的电特性可以用背栅接地和深圳生活网的栅极接不同电压来解释。MOS电容的栅极电位为0V。金属栅和半导体背栅在工作功能上的区别深圳生活网在电介质上产生一个小电场。在该器件中，该电场使金属电极具有轻微的正电势，而P型硅具有负电势。这个电场将硅底层的电子吸引到表面，同时将空空穴从表面排斥出去。这个电场太弱，所以载流子浓度的变化很小，对器件整体特性的影响也很小。
当MOS电容的栅极相对于背栅极正偏置时，会发生什么情况。穿过栅极电介质的电场增强，更多的电子从衬底被拉起。同时，从曲面中排除空孔。随着栅压的增加，表面的电子会比空空穴多。由于多余的电子，硅表面层看起来像N型硅。掺杂极性的反转称为反转，反转的硅层称为沟道。随着栅压的不断升高，表面积累的电子越来越多，沟道成为强反型。沟道形成时的电压称为阈值电压Vt。当栅极和背栅极之间的电压差小于阈值电压时，不会形成沟道。当电压差超过阈值电压时，通道出现。
MOS管的工作原理
Mos晶体管通常用作电路中的电子开关。在开关电源中，常用MOS晶体管的开漏电路，漏极原封不动地连接到负载上，称为开漏。在开漏电路中，无论负载连接到多高，负载电流都可以接通和断开。它是一种理想的模拟开关器件。这就是MOS晶体管作为开关器件的原理。当然，MOS晶体管作为开关使用的电路形式有很多种。
一、MOS管介绍
1.场效应晶体管主要包括结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。绝缘栅场效应晶体管包括增强型和耗尽型。增强型和耗尽型分别包括N型和P型。我们常用的FET一般指增强型绝缘栅FET，简称MOS晶体管。
2.对于N型和P型这两种常用的MOS晶体管，一般N型晶体管的使用范围更广。这是因为制造工艺不同，导致P型管的导通电阻比N型管大，价格也更贵。P型晶体管和N型晶体管的参数不容易对称，集成电路也是如此，所以在推挽电路等电路中存在上升时间和下降时间的差别。
3.上图是MOS晶体管的等效模型。由于制造工艺问题，三个引脚之间存在寄生电容，影响MOS的开关特性，下面将详细解释。
4.如上图所示，DS之间有一个寄生二极管，叫做体二极管，在集成电路中是不存在的。MOS晶体管驱动感性负载时，体二极管可以作为续流二极管存在，这在驱动感性负载时非常重要。
二、MOS管的特点
1、开关特性。MOS管是压控器件，作为开关时，NMOS只要满足Vgs